A dl-koreai gyrt bejelentette, hogy mr leszlltotta a kvetkez generci els tesztpldnyait - a GDDR4-tl a sebessg javulst s a ksleltets nagyarny cskkenst vrjk, legkorbban 2006 kzepn.
A vilg els szm memriagyrtjaknt nyilvntartott Samsung
kzlemnyben jelentette be a fejleszts eredmnyt. Ebbl kiderl, hogy a negyedik generci els pldnyai 256 megabitesek s 2,5 Gbps-os adattviteli sebessget nyjtanak. Ez jelents elrelpst jelent, mivel a ksleltetsek miatt a jelenleg hasznlatos cscsmodellek is "csak" 1,6 Gbps-ig jutottak. A gyrt azt remli, hogy a vadonatj technolgik segtsgvel nagymrtkben cskkenteni tudjk a ksleltetst, nvelve ezzel a sebessget.
Egszen pontosan kt j technolgirl van sz, amelyek a keresztsgben a DBI (Data Bus Inversion) s Multi-Preamble nevet kaptk. A Samsung termszetesen semmilyen rszletet nem rult el kt csodafegyverrl, mindssze annyit kzltek, hogy sajt adataik szerint a kereskedelmi forgalomban kaphat termkekhez kpest 56 szzalkkal javult az tviteli sebessg.
Mr tavaly mjusban
hrt adtunk arrl, hogy megindultak a negyedik generci kifejlesztsre irnyul munklatok. A Samsung Electronics akkor gy vlte, hogy a mostani GDDR3 memrik vge 2 GHz krl lesz, mg a kvetkez genercival mr akr 2,8 GHz effektv rajelet is elrhetnek. Ez utbbi megvalsulni ltszik, hiszen az emltett 2,5 Gbps-os adat csak a kezdeti sebessget jelli, amit remnyeik szerint mg az v vge eltt 2,8 Gbps-ig nvelhetnek. A szabvny mlt fogadsra az ATI is felkszlt, hiszen a
korbbi gretnek megfelelen az R520 memriavezrlje a jelenlegi memriatpusok mellett GDDR4-gyel is kompatibilis.
A Samsung mg egy komoly elnyt emleget az j fejlesztssel kapcsolatban, ez pedig nem ms, mint a kompatibilits. A GDDR4 ugyanis kzvetlen leszrmazottja a harmadik genercinak, s mint ilyen, nem okoz majd nagy fejtrst a memriagyrtknak az tllsnl. Terveik szerint az els pldnyok a kvetkez v msodik felben jelennek majd meg a boltokban, mg a tovbbfejlesztett, megnvelt rajel vltozatok 2006 vge fel jelennek meg.